小尺寸，低功耗，低成本的高性能產品，為記憶體的RDL加工帶來了強大的市場需求，藉由重新佈線I / O位置，MCP（多芯片封裝）和SiP（系統級封裝）的整合將得以實現。適用產品: 動態隨機記憶體、Nor Flash、邏輯產品如WiFi、RF Switch、FPGA、通訊安全晶片、功率電晶體。

特色

1. 晶圓尺寸: 12吋(300mm)、6吋(150mm)。
2. 結構材質: Cu/Ni/Au RDL提供了彈性大的KGD打線位置調整，滿足不同終端客戶所需的SIP封裝需求，且此Cu/Ni/Au RDL同時適用於打Au線或打Cu線。200°C 低溫polyimide & 375°C 高溫polyimide。
3. 整合設計: Cu RDL與 Cu Pillar Bump 或 Lead Free Bump結合，提供Fan-in & Fan-out WLCSP之應用。
4. 基底材質: RDL on glass 可應用於玻璃載板先進封裝領域。
5. 線寬間距: 5/5μm細線路有助於封裝的微小化，並且維持打金線與銅線的能力 (Ultra Slim RDL^®)。適用於Si or Glass Interposer之應用。
6. 統包服務: 提供 WLCSP 統包服務 (Turnkey Service)，包含凸塊(Bump)、測試(Test)、研磨(Grinding)、切割(Dicing)、捲帶(Tape & Reel)。