特色

1. 晶圓尺寸: 8吋(200mm)
2. 晶背金屬層: Ti/ NiV/ Ag, Ti/Cu, 可依客戶需求進行厚度調整。
3. 背面研磨薄化能力: 12吋產品: Min. 175μm, 8吋產品Min.150 μm。
4. 機台特點: 使用Sputter機台, 降低晶背金屬層peeling的機率。
5. 製程整合: 可搭配客戶需求提供晶片正面凸塊 (SnAg Bump), RDL (Cu/Ni/Au Redistribution Layer) 及SFM (Solderable Front Side Metal)等服務。
6. FSM使晶圓表面和PVD TiNiVAg有良好的附著力。
7. Ti/NiV/Ag可依客戶需求進行厚度調整。

應用

1. Power IC, Power Mosfet, IGBT, 3D IC, LED…等產品。