銅柱凸塊的精細凸塊間距可以達到小至40微米，因此提高了Flipchip在載板及模組的封裝能力。而無鉛凸塊（SnAg1.8％）則可以滿足RoHS和綠色產品要求。適用產品: 動態隨機記憶體、邏輯產品如記憶體控制器、FPGA、WiFi、RF Switch、電源管理IC、表面聲波濾波器(SAW Filter)、體聲波濾波器(BAW Filter）、LED、動態隨機記憶體、邏輯產品如記憶體控制器、FPGA、WiFi、RF Switch、電源管理IC、表面聲波濾波器(SAW Filter)、體聲波濾波器(BAW Filter）、LED。

特色

1. 晶圓尺寸: 12吋(300mm)、6吋(150mm)。
2. 結構材質: SnAg1.8%、SnAu80% 的電鍍凸塊，200°C低溫Polyimide & 375°C高溫Polyimide。
3. 凸塊間距: 40μm以上。
4. 凸塊高度: 12吋晶圓銅柱凸塊高度可達75μm，6吋晶圓銅柱凸塊高度則可達90μm。
5. 彈性設計: 非對稱性的銅柱凸塊可以提供更具彈性的設計空間，達到提升電性與散熱性的優點。
6. 輔助凸塊: 提供輔助凸塊 (dummy bump) 設計服務，讓中央接點晶片或少接點晶片的覆晶封裝變成可行。輔助凸塊允許與正常的銅柱凸塊在不同的平面上，但仍維持一樣的共平面度，有利於如動態隨機記憶體晶片(DRAM)的覆晶封裝。
7. 結合應用: 可搭配表面聲波濾波器(SAW Filter)、體聲波濾波器(BAW Filter）之腔體(Cavity)，結合銅柱凸塊之優勢，可進而保護敏感性的電路/元件和其產品以達到空間優化之特性，亦可以大幅提升電性上效能和5G之廣泛應用。
8. 統包服務: 提供 WLCSP 統包服務 (Turnkey Service)，包含凸塊(Bump)、測試(Test)、研磨(Grinding)、切割(Dicing)、捲帶(Tape & Reel)。