產品與製程
PRODUCT & PROCESS

銅柱凸塊 Copper Pillar Bump

銅柱凸塊的精細凸塊間距可以達到小至40微米,因此提高了Flipchip在載板及模組的封裝能力。而無鉛凸塊(SnAg1.8%)則可以滿足RoHS和綠色產品要求。


特色

  1. 晶圓尺寸: 12吋、8吋、6吋、4吋。
  2. SnAg 1.8% 的電鍍凸塊。
  3. 40 um凸塊間距,其中銅凸塊尺寸25 um,間距15 um。
  4. 12吋/8吋晶圓銅柱凸塊高度可達75 um,6吋/4吋晶圓銅柱凸塊高度則可達135 um。
  5. 200°C 低溫polyimide & 375°C 高溫polyimide 固化特性,適用於記憶體及邏輯產品。
  6. 非對稱性的銅柱凸塊可以提供更具彈性的設計空間,達到提升電性與散熱性的優點。
  7. 提供輔助凸塊 (dummy bump) 設計服務,讓中央接點晶片或少接點晶片的覆晶封裝變成可行。輔助凸塊允許與正常的銅柱凸塊在不同的平面上,但仍維持一樣的共平面度,有利於如動態隨機記憶體晶片(DRAM)的覆晶封裝。
  8. 提供 WLCSP 統包服務 (Turnkey Service),包含凸塊(Bump)、測試(Test)、研磨(Grinding)、切割(Dicing)、捲帶(Tape & Reel)。


Cu Pillar Bump Process Flow