產品與製程
PRODUCT & PROCESS

背面研磨和金屬鍍膜 Backside Grinding Backside Metal (BGBM)

藉由晶片減薄及晶背濺鍍金屬技術, 提升產品散熱及導電能力。


特色

  1. 晶圓尺寸: 12吋(300mm)、8吋(200mm)。
  2. 晶背金屬層: Ti/ NiV/ Ag, Ti/Cu, 可依客戶需求進行厚度調整。
  3. 薄化能力: 12吋產品: Min. 175μm, 8吋產品Min.150 μm。
  4. 機台特點: 使用Sputter機台, 降低晶背金屬層peeling的機率。
  5. 製程整合: 可搭配客戶需求提供晶片正面凸塊 (SnAg Bump), RDL (Cu/Ni/Au Redistribution Layer) 及SFM (Solderable Front Side Metal)等服務。

應用

  1. Power IC, Power Mosfet, IGBT, 3D IC, LED…等產品。


Backside Grinding Backsize Metal Process Flow